快充协议芯片 亚成微电子
相关结果约993543条亚成微电子(Reactor Microelectronics)AC-DC电源管理芯片选型指南
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亚成微RM6715S 18W自供电双绕组快充参考设计
亚成微RM6715S用于18W QC3.0/PD3.0快充充电器参考设计,该产品采用黑色PC材质外壳,搭配欧规插脚,机身主体圆润,输出USB-A接口居中设计。这款充电器的最大特点在于电路精简,整块PCB板背面的控制电路部分设计非常简单,主要体现在初级部分,PWM主控芯片RM6715S不仅内置MOS和高压启动电阻,还采用了亚成微电子专利的VCC自供电技术,成功省去了主控芯片外围VCC辅助绕组及其相关整流电路。这使得18W快充产品的设计简化了PCB板layout难度,易于量产,同时降低产品开发成本和BOM成本,让产品更具性价比。充电器支持多种快充协议,包括APPLE 2.4A、USB DCP、QC2.0、QC3.0、AFC、FCP等,能够为华为Mate 20 Pro、小米9、三星S10+等设备提供快速充电支持。其净重约为46g,整体比苹果18W充电器稍微长一点。在性能方面,RM6715S内置多
深圳电酷网络科技有限公司 - 快充充电器,手机快充,RM6715S,RM3403SH,PD快充,QC3.0快充
发布时间 : 2025-03-03
快充PWM控制技术演进——国产厂家如何破局而立?
本文要跟大家聊一聊快充PWM控制技术。一直以来快充PWM控制器的一个关键点就是输出电压可调,且可调电压范围较宽(最终的PD协议要求范围为3-21V),而这些带来的最大问题就是PWM控制芯片VCC耐压不足。技术是如何突破的?国产厂家又可以如何提升自己的市场竞争力?
【应用】亚成微新推25W氮化镓功率集成快充方案,实现了外围电路精简和PCB布局紧凑,具有体积小、性能强、功耗低等特点
亚成微25W氮化镓(GaN)功率集成快充方案,是基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL+超快关断同步整流控制芯片RM3434SA+协议芯片RM6602T芯片组合,通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局。
DJI 100W双USB-C端口GaN桌面充电器 - Reactor Micro高雪崩和高可靠性超结MOSFET应用
该产品为DJI推出的100W GaN桌面充电器,支持双USB-C接口,可同时快充DJI无人机电池和遥控器,并兼容PPS和PD快充协议。充电器采用八字线设计,可根据使用场景更换不同长度的电缆,具备动态功率分配功能(82W+18W)。内部设计基于PFC+LLC+SR架构,采用Reactor Micro的RMD65R380SN MOSFET、NXP TEA2016AAT主控芯片及同步整流控制器TEA1995。其主要特性包括高效能、低纹波输出、长寿命固态电容设计以及纯铜散热片覆盖PCBA模块以增强散热性能。应用场景涵盖笔记本电脑、手机等设备的快速充电需求。产品的核心参数包括:型号CDX265-100,输入电压范围100-240V~50/60Hz,单端口最大输出功率100W,双端口支持功率盲插(82W+18W),支持多种快充协议(如FCP、SCP、AFC、QC3.0/5、PD3.0、PPS等)。尺寸
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亚成微电子携多款⾼功率密度快充解决方案及芯片产品与您相约亚洲充电展!
8月23日至8月25日,2023(秋季)亚洲充电展将在深圳福田会展中心3号馆举办,此次展会,亚成微将为您带来多款⾼功率密度快充解决方案及芯片产品。 亚成微展位号位于展馆B区B64,欢迎您前来参观交流。
【应用】亚成微推出内置自研芯片组合的20W PD高集成快充方案,有效加速快充量产并节省物料成本
亚成微电子在近期推出了全新升级版的20W PD高集成快充方案,基于RM6734S+RM3434SA+RM6602T的芯片组合,实现精简外围电路和紧凑PCB布局,具有体积小、性能强、功耗低等特点,可有效加速小功率快充量产并节省物料成本。
【产品】亚成微电子推出的同步整流控制芯片RM5020T,支持高达200KHz的开关频率,耐压高达180V
亚成微电子推出的RM5020T是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流控制芯片,采用节省空间的SOT23-6封装,外推超低导通阻抗MOSFET以提升系统效率。
【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND,具有小体积、高性能、低功耗等特点,支持最大36W快充
合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术,芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大36W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。
【应用】亚成微电子推出最大功率为18W的超精简快充插排方案,外围电路简单,内设抖频模式可降低EMI干扰
亚成微电子推出18W(双A口)超精简快充插排方案,效率(Max)>88%,超低待机功耗,满足六级能效标准, 方案采用专利VCC自供电技术,成功省去了主控芯片外围VCC辅助绕组及其相关整流电路,方案外围简单,不仅易于电路设计,且降低了系统成本。
【产品】亚成微电子推出采用ZVS反激式架构的电源控制芯片RM6801X/RM6601X,支持最大140KHz工作频率
为了适应快充市场发展新需求,亚成微通过不断研究改进,成功推出了ZVS反激式架构的开关电源控制芯片RM6801X 以及QR/CCM反激电源控制芯片RM6601X。
【产品】支持最大120W快充的合封氮化镓电源芯片RM6820NQ,采用先进的3D封装集成技术
亚成微电子合封氮化镓电源芯片RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术,芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大120W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。
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